тел: (342) 237-83-31

e-mail: khlybov@psu.ru

Должность: Научный сотрудник ИМСС УрО РАН, с 2008 г.

Образование:Пермский государственный университет, Физический факультет, Физика, 2001 г.

Научные интересы: Вычислительная гидродинамика, параллельное программирование

СПИСОК ОСНОВНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ

1. Т.П.  Любимова, О.А.  Хлыбов. Численное моделирование процесса выращивания кристаллов полупроводников по методу VGF в присутствии вращающегося магнитного поля. Тезисы докладов XIII Международной зимней школы по механике сплошных сред. Пермь, 2003.
2. Т.П.  Любимова, О.А.  Хлыбов. Численное моделирование процесса выращивания кристалла Ga: Ge по вертикальному методу Бриджмена в присутствии вращающегося магнитного поля. “Конвективные течения”, Пермский педагогический университет, 2003.
3. Т.П.  Любимова, И.С.  Файзрахманова, О.А.  Хлыбов. Численное моделирование процесса выращивания кристалла полупроводника вертикальным методом Бриджмена в присутствии переменного магнитного поля. Тезисы докладов КМ-2003, Калуга, 2003.
4. T.P.  Lyubimova et.al. Numerical and experimental study of alternating magnetic field influence on vertical Bridgman crystal growth of semiconductors. Proceedings of 4th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, Fukuoka, Japan, 2003.
5. Tatyana P. Lyubimova, Peter Dold, Arne Croell, Oleg A.Khlybov, Irina S.Fayzrakhmanova. Numerical investigation of dynamic magnetic field influence on vertical Bridgman crystal growth. Journal of Crystal Growth 266 (2004).
6. А.Кролл, Т.П.  Любимова, О.Петцольд, О.А.  Хлыбов Рост кристалла GaAs по методу VGF в присутствии вращающегося магнитного поля, Пермь, Гидродинамика, 2004.
7.  Т.П.  Любимова, О.А.  Хлыбов Численное моделирование процесса выращивания кристалла Ga: Ge по методу Axial Heating Process в присутствии вращающегося магнитного поля, Пермь, Гидродинамика, 2005.
8. О.А.  Хлыбов Комбинирование символьной алгебры и генерации кода для решения сложных систем нелинейных дифференциальных уравнений.  Вычислительная механика сплошных сред. 2008. Т. 1. № 2.